半導体

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pcim 2015

パナソニック ブースへのご来場ありがとうございました。
WEBサイト上では、出展製品の各種資料掲載を継続しますので、引き続きご覧ください。

パナソニックブース : Hall 6, Booth 429
展示会場 : ニュルンベルク・メッセ
   (ニュルンベルク、ドイツ)
展示会期 : 2015年5月19日(火)〜21日(木)
ウェブサイト :  公式サイト(http://www.mesago.de/en/PCIM/home.htm)  /
    パナソニックインダストリデバイス販売欧州サイト
Floor MAP
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出展商材

GaN Power Devices & Solution

GaN Power Devices & Solution

パナソニックの耐圧600VGaNパワーデバイスは電源の小型化と高効率化に貢献いたします。 パナソニックGaN-GITは、独自のデバイス構造を採用し、GaNデバイスにとって実現困難とされていたノーマリーオフ化と電流コラプスフリーを実現させました。 これによりGaNデバイスの信頼性を飛躍的に向上させています。

 今回展示においては、他種パッケージ展開品や、ハーフブリッジモジュール、そしてそれらパッケージのチョッパーボードを展示します。 このチョッパーボードにおいてはGaN-GITの特徴である驚異の高速スイッチングを実現しています。 さらに、このたび開発した世界最小クラスの400W電源が皆様に新たな驚きを提供することをお約束いたします。

 お客様の設計支援として、GaNのゲート駆動を実現する子基板のほか、Totem-Pole PFCやLLCボードなどを準備しております。 またGaN-GITの性能を最大限に引き出すために、当社の高性能MCUをお薦めいたします。 当社の高性能MCUにより、GaN-GITの高周波駆動と高精度で安定な動作を実現いたします。
これら革新的な製品と共に、皆様のお越しをお待ちしております。

SiC Power Devices

パナソニックのSiCモジュールは、DioMOSと呼ぶ新しいSiCMOSFETを組み込んだハーフブリッジ構成のコンパクトなフルSiCパワーモジュールです。 DioMOSはMOSゲートの下のn型エピタキシャルチャネルの構造を工夫する事によって、MOSFETでありながら、還流ダイオードの機能も有するSiCMOSFETです。 DioMOSの使用で、外付け還流ダイオードが不要になり、モジュールのフットプリントを半分に減らすことが可能です。

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